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SI3495DV-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP

비준수

SI3495DV-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 24mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 750mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 38 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 6-TSOP
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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