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SI3585CDV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

비준수

SI3585CDV-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.9A, 2.1A
rds on (max) @ id, vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4.8nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 150pF @ 10V
전력 - 최대 1.4W, 1.3W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지 6-TSOP
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