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SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

compliant

SI4090BDY-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.56000 $1.56
500 $1.5444 $772.2
1000 $1.5288 $1528.8
1500 $1.5132 $2269.8
2000 $1.4976 $2995.2
2500 $1.482 $3705
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 10mOhm @ 12.2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3570 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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