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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

compliant

SI4288DY-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.65600 -
5,000 $0.62520 -
12,500 $0.60320 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 40V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.2A
rds on (max) @ id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 580pF @ 20V
전력 - 최대 3.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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