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SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO

compliant

SI4447DY-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.35595 -
5,000 $0.33285 -
12,500 $0.32130 -
25,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 72mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 14 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 805 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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