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SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

compliant

SI4501BDY-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.27120 -
5,000 $0.25360 -
12,500 $0.24480 -
25,000 $0.24000 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel, Common Drain
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V, 8V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A, 8A
rds on (max) @ id, vgs 17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 805pF @ 15V
전력 - 최대 4.5W, 3.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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