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SI5853DDC-T1-E3

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SI5853DDC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5853DDC-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 105mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 8 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 320 pF @ 10 V
FET 기능 Schottky Diode (Isolated)
전력 소모(최대) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 1206-8 ChipFET™
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
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