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SI7439DP-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

비준수

SI7439DP-T1-E3 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 90mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.9W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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