Welcome to ichome.com!

logo

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

비준수

SI7686DP-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.47921 -
6,000 $0.45671 -
15,000 $0.44064 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1220 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
PDF 로딩에 실패했습니다. 새 창에서 열어서 액세스해보세요. [열려 있는], 또는 클릭하여 돌아가세요

관련 부품 번호

2SK4221
2SK4221
$0 $/조각
AOI7N65
APT5016BLLG
BUK964R7-80E,118
DMTH4014SPSW-13
R5019ANJTL
R5019ANJTL
$0 $/조각
RM60N30DF
RM60N30DF
$0 $/조각
IPP120N06S402AKSA2
AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/조각

전자 분야에서 당신의 신뢰할 수 있는 파트너

귀하의 기대를 뛰어넘는 데 전념합니다. IChome: 전자 산업을 위해 재정의된 고객 서비스.