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SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

SOT-23

비준수

SI7772DP-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.32698 -
6,000 $0.30443 -
15,000 $0.29315 -
30,000 $0.28700 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 35.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1084 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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