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SI7900AEDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

비준수

SI7900AEDN-T1-GE3 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A
rds on (max) @ id, vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 900mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 1.5W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual
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