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SI8902EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

비준수

SI8902EDB-T2-E1 가격 및 주문

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3,000 $0.90345 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.9A
rds on (max) @ id, vgs -
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 980µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-MICRO FOOT®CSP
공급업체 장치 패키지 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
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