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SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

SOT-23

비준수

SI9933CDY-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.27120 -
5,000 $0.25360 -
12,500 $0.24480 -
25,000 $0.24000 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A
rds on (max) @ id, vgs 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 665pF @ 10V
전력 - 최대 3.1W
작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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