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SIA108DJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

비준수

SIA108DJ-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.36762 $0.36762
500 $0.3639438 $181.9719
1000 $0.3602676 $360.2676
1500 $0.3565914 $534.8871
2000 $0.3529152 $705.8304
2500 $0.349239 $873.0975
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.6A (Ta), 12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 38mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 545 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6
패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6
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