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SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA469DJ-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.14746 -
6,000 $0.13899 -
15,000 $0.13052 -
30,000 $0.12035 -
75,000 $0.11612 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 26.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1020 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 15.6W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Single
패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6
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