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SIB422EDK-T4-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK

비준수

SIB422EDK-T4-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.21176 $0.21176
500 $0.2096424 $104.8212
1000 $0.2075248 $207.5248
1500 $0.2054072 $308.1108
2000 $0.2032896 $406.5792
2500 $0.201172 $502.93
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7.1A (Ta), 9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-75-6
패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-75-6
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