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SIB4316EDK-T1-GE3

SIB4316EDK-T1-GE3

SIB4316EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIB4316EDK-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
50 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.5A (Ta), 6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 57mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.9W (Ta), 10W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-75-6
패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-75-6
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