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SIDR392DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

비준수

SIDR392DP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 82A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 9530 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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