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SIDR402DP-T1-RE3

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SIDR402DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

비준수

SIDR402DP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.49000 $2.49
500 $2.4651 $1232.55
1000 $2.4402 $2440.2
1500 $2.4153 $3622.95
2000 $2.3904 $4780.8
2500 $2.3655 $5913.75
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64.6A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 9100 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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