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SIDR5802EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

비준수

SIDR5802EP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 34.2A (Ta), 153A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3020 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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