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SIDR622DP-T1-RE3

SIDR622DP-T1-RE3

SIDR622DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR622DP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.63000 $2.63
500 $2.6037 $1301.85
1000 $2.5774 $2577.4
1500 $2.5511 $3826.65
2000 $2.5248 $5049.6
2500 $2.4985 $6246.25
6213 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1516 pF @ 75 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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