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SIDR626DP-T1-RE3

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SIDR626DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

비준수

SIDR626DP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.02000 $3.02
500 $2.9898 $1494.9
1000 $2.9596 $2959.6
1500 $2.9294 $4394.1
2000 $2.8992 $5798.4
2500 $2.869 $7172.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 42.8A (Ta), 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5130 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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