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SIE818DF-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

비준수

SIE818DF-T1-GE3 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 75 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3200 pF @ 38 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 10-PolarPAK® (L)
패키지 / 케이스 10-PolarPAK® (L)
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