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SIHA12N50E-GE3

SIHA12N50E-GE3

SIHA12N50E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 500V

비준수

SIHA12N50E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.96000 $1.96
500 $1.9404 $970.2
1000 $1.9208 $1920.8
1500 $1.9012 $2851.8
2000 $1.8816 $3763.2
2500 $1.862 $4655
995 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 886 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 32W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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