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SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

compliant

SIHB21N65EF-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $5.80000 $5.8
10 $5.20500 $52.05
100 $4.30020 $430.02
500 $3.51688 $1758.44
1,000 $2.99464 -
3,000 $2.85404 -
445 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2322 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 208W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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