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SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 26A TO263

compliant

SIHB25N50E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $4.16000 $4.16
10 $3.72800 $37.28
100 $3.08030 $308.03
500 $2.51920 $1259.6
1,000 $2.14512 -
2,500 $2.04440 -
5,000 $1.97246 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 26A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1980 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 250W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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