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SIHD14N60ET4-GE3

SIHD14N60ET4-GE3

SIHD14N60ET4-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

비준수

SIHD14N60ET4-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.40000 $2.4
500 $2.376 $1188
1000 $2.352 $2352
1500 $2.328 $3492
2000 $2.304 $4608
2500 $2.28 $5700
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1205 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 147W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D-Pak
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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