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SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3

SIHF35N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220

compliant

SIHF35N60E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $6.47000 $6.47
10 $5.77500 $57.75
100 $4.73550 $473.55
500 $3.83460 $1917.3
1,000 $3.23400 -
3,000 $3.07230 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 32A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2760 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 39W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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