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SIHFR220-GE3

SIHFR220-GE3

SIHFR220-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

compliant

SIHFR220-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.29865 $0.29865
500 $0.2956635 $147.83175
1000 $0.292677 $292.677
1500 $0.2896905 $434.53575
2000 $0.286704 $573.408
2500 $0.2837175 $709.29375
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 800mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 260 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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