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SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

compliant

SIHG018N60E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $18.89000 $18.89
10 $17.16900 $171.69
100 $14.59350 $1459.35
500 $12.44738 $6223.69
418 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 99A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 23mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 228 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 7612 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 524W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AC
패키지 / 케이스 TO-247-3
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