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SIHG039N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

비준수

SIHG039N60E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $12.71000 $12.71
10 $11.48200 $114.82
100 $9.52000 $952
500 $8.04850 $4024.25
1,000 $7.06752 -
410 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 63A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 39mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4369 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 357W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AC
패키지 / 케이스 TO-247-3
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