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SIHG120N60E-GE3

SIHG120N60E-GE3

SIHG120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

비준수

SIHG120N60E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $6.22000 $6.22
10 $5.57500 $55.75
100 $4.60640 $460.64
500 $3.76726 $1883.63
1,000 $3.20784 -
2,500 $3.05723 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 25A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1562 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 179W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AC
패키지 / 케이스 TO-247-3
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