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SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

비준수

SIHG22N60E-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $4.93000 $4.93
10 $4.40000 $44
100 $3.60800 $360.8
500 $2.92160 $1460.8
1,000 $2.46400 -
2,500 $2.34080 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1920 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 227W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AC
패키지 / 케이스 TO-247-3
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