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SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

compliant

SIHG64N65E-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
500 $10.25476 $5127.38
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Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 47mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 369 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 7497 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 520W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247AC
패키지 / 케이스 TO-247-3
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