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SIHLR120-GE3

SIHLR120-GE3

SIHLR120-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

비준수

SIHLR120-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.31350 $0.3135
500 $0.310365 $155.1825
1000 $0.30723 $307.23
1500 $0.304095 $456.1425
2000 $0.30096 $601.92
2500 $0.297825 $744.5625
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs 270mOhm @ 4.6A, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12 nC @ 5 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 490 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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