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SIJ150DP-T1-GE3

SIJ150DP-T1-GE3

SIJ150DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

compliant

SIJ150DP-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.32000 $1.32
500 $1.3068 $653.4
1000 $1.2936 $1293.6
1500 $1.2804 $1920.6
2000 $1.2672 $2534.4
2500 $1.254 $3135
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 45 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 30.9A (Ta), 110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.83mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4000 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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