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SIJA22DP-T1-GE3

SIJA22DP-T1-GE3

SIJA22DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

compliant

SIJA22DP-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.45000 $1.45
500 $1.4355 $717.75
1000 $1.421 $1421
1500 $1.4065 $2109.75
2000 $1.392 $2784
2500 $1.3775 $3443.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 25 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64A (Ta), 201A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 0.74mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6500 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 4.8W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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