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SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR182DP-T1-RE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.84956 -
6,000 $0.82008 -
1232 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.6V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3250 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 69.4W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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