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SIRA18BDP-T1-GE3

SIRA18BDP-T1-GE3

SIRA18BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

비준수

SIRA18BDP-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 19A (Ta), 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 680 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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