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SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

비준수

SIRB40DP-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.66420 -
6,000 $0.63302 -
15,000 $0.61074 -
0 items
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 40V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 40A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 45nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4290pF @ 20V
전력 - 최대 46.2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual
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