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SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

비준수

SIS176LDN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.98000 $0.98
500 $0.9702 $485.1
1000 $0.9604 $960.4
1500 $0.9506 $1425.9
2000 $0.9408 $1881.6
2500 $0.931 $2327.5
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 70 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 3.3V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.6V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 19 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1660 pF @ 35 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
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