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SIS903DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

비준수

SIS903DN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.46494 -
6,000 $0.44311 -
15,000 $0.42752 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 42nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2565pF @ 10V
전력 - 최대 2.6W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual
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