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SISH114ADN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK

비준수

SISH114ADN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.33053 -
6,000 $0.30908 -
15,000 $0.29835 -
30,000 $0.29250 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18A (Ta), 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SH
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8SH
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