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SISH536DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

비준수

SISH536DN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs(최대) +16V, -12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1150 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SH
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8SH
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