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SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3

SISS22LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

비준수

SISS22LDN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.26000 $1.26
500 $1.2474 $623.7
1000 $1.2348 $1234.8
1500 $1.2222 $1833.3
2000 $1.2096 $2419.2
2500 $1.197 $2992.5
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2540 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
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