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SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

compliant

SISS61DN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 900mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 231 nC @ 10 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 8740 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
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