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SISS72DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

비준수

SISS72DN-T1-GE3 가격 및 주문

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3,000 $0.81311 -
6,000 $0.78489 -
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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7A (Ta), 25.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 42mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 550 pF @ 75 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
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