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SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

compliant

SISS80DN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.75000 $1.75
500 $1.7325 $866.25
1000 $1.715 $1715
1500 $1.6975 $2546.25
2000 $1.68 $3360
2500 $1.6625 $4156.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 58.3A (Ta), 210A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 0.92mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs(최대) +12V, -8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6450 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
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