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SIUD406ED-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806

비준수

SIUD406ED-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.10920 -
6,000 $0.10343 -
15,000 $0.09476 -
30,000 $0.08899 -
75,000 $0.08033 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 500mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.6 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 17 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.25W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 0806
패키지 / 케이스 PowerPAK® 0806
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