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SIUD412ED-T1-GE3

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SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

비준수

SIUD412ED-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.07469 -
6,000 $0.06532 -
15,000 $0.05595 -
30,000 $0.05282 -
75,000 $0.04970 -
150,000 $0.04345 -
2061 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 12 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 500mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 340mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 900mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.71 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 21 pF @ 6 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.25W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 0806
패키지 / 케이스 PowerPAK® 0806
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